2023年11月8-10日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM)在中国北京郎丽兹西山花园酒店成功召开，共吸引了800余位国内外专家学者和企业代表、近400家企业的积极参与。

本届会议共邀请来自德国、法国、日本、新加坡、中国以及中国台湾和香港地区等五十余位行业顶尖专家、企业家，共同分享宽禁带半导体技术最新研究进展，交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进亚太地区宽禁带半导体领域产学研用的相互合作和交流，推动宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业高质量发展！

飞锃半导体创始人兼首席执行官CEO周永昌先生受邀参与演讲，主题为《碳化硅电力电子的快速商业化 -启动新时代》，与大家分享当前SiC市场的发展情况，以及中高压应用为碳化硅器件提供了广阔的发展前景，并展望了SiC MOSFET的未来。

周永昌先生首先在演讲中表示，根据Yole Intelligence的《Power SiC 2023年度市场报告》，碳化硅市场收益预计将以35%的复合年增长率从17亿美元增长到90亿美元，新能源汽车、充电桩、光伏储能、智能家电、卫星通讯、高压输变电、轨道交通等热门领域都推动着功率SiC器件的增长，其中汽车和工业应用是SiC市场增长的主要驱动力。SiC器件凭借优异的特性成为新能源汽车装置中的理想器件。SiC器件具有更优的开关性能，更低的损耗以及允许更高的运行结温，进而可以实现更高的功率密度、可靠性和效率。

2023年上半年，新能源汽车的整体渗透率接近30%，相比与2020年的5.9%，在短短3年时间实现了5倍增长！目前市面上大多数新能源汽车中的电池和功率转换系统都采用400V电压架构，但是当里程超过500公里时，新能源汽车应采用800V电压架构，以实现更短的充电时间和更高的效率。

新能源汽车从400V向800V电压的架构迈进是主流趋势，大功率快充已然成为业内共识，能够满足快充和节能的需求。到2027年，800V电压平台的份额将从目前的4%增加到45%。

为了顺应市场需求，飞锃半导体今年积极布局和开拓汽车市场，推出了车规级碳化硅产品，如1200V 35/70/160mohm和650V 30/45/60mohm，以满足不同电压应用的需求。这些产品具备高可靠性和高鲁棒性，以及优异的开关性能和导通特性。此外，它们还具备出色的体二极管反向恢复特性，能够显著降低车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。飞锃半导体车规级碳化硅产品符合车规AEC-Q101可靠性验证，并通过960V高压H3TRB加严测试。

周永昌先生还提到，中国碳化硅技术起步虽晚，但是全产业链正在奋力追赶。在EPI领域，国内领先厂家生产的碳化硅EPI产品质量与国际大厂相当，预计到2023年底，中国6英寸碳化硅EPI的总产能可能超过100万片，为全球市场提供碳化硅EPI产品。

碳化硅衬底作为产业链的核心环节之一，国内衬底公司正在快速发展。目前，国内已大量采用国产的6英寸碳化硅衬底制造二极管，在MOSFET领域，不少厂家也开始使用国产的6英寸衬底。根据Trendforce的数据，2023年中国6英寸SiC衬底产能可能只占全球产能的5%，但到2024年，中国的总产能可能会增长到50%，达到150万片。与此相比，国际6英寸SiC衬底制造商的产能扩张态度较为保守，而中国制造商则持有乐观态度，渴望扩大市场份额。

相对于6英寸，预计8英寸SiC EPI晶圆的价格将很快下降，由于6英寸的技术逐步成熟，迭代到8英寸时间变短，释放出大量8英寸的产能。使用8英寸晶圆相同技术可以节省高达35%的成本。然而，8英寸晶圆仍存在一些工艺难题，需要在设备和工艺控制方面做更多努力。

根据inSemi的数据，国际衬底制造商将在2023-2024年开始生产8英寸衬底，而国内厂商将在2025-2026年开始生产，中国正在迎头赶上，缩小与国际制造商的差距！

在碳化硅二极管领域，国内厂家的技术发展已经达到国外大厂的水平。大约在2013年，国内SiC二极管厂商就开始使用4英寸技术，飞锃半导体在2015年率先成功使用6英寸技术，实现国内该领域的技术破冰。随着国内二极管技术成熟，越来越多的本土制造商进入市场，已经从夺取了IDM公司市场份额。

在碳化硅MOSFET领域，目前市场上有超过40家本土IDMs和SiC设计公司。在2020年，只有少量SiC厂商可以提供样品，而飞锃半导体在2021年大规模批量生产。到2022年，更多的公司进入MOSFET市场。尽管国内的技术正在快速迎头赶上，但与IDMs仍存在一代的差距。平面型MOSFET仍然是未来几代产品的主流，当Rsdon,sp低于2.0时，平面型MOSFET可能达到极限，需要新的技术和结构。

飞锃半导体在今年也成功推出的第三代碳化硅MOSFET，包含多种市场主流规格，如1200V 14/18/30/40/80mΩ、750V 11/15mΩ。在产品结构上，第三代碳化硅MOSFET与上一代相比经过了进一步的技术及工艺改进，产品具备了更好的参数一致性，更低的开关损耗、以及更出色的导通特性，以满足高可靠性和高性能的应用需求，广泛应用于充电桩、光伏&储能、车载OBC/DCDC/主驱等领域。

最后，周永昌先生表示，中国碳化硅市场正迎来蓬勃发展。尽管中国的SiC技术与国际大厂还存在差距，但我们正在努力迎头赶上。国内厂家都在积极布局，未来有望在产业链上下游的深度协同合作下，逐步实现国产碳化硅器件在各个应用领域的替代。

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