近日，依据《上海市高新技术成果转化项目认定办法》（沪科规〔2020〕8 号）等文件精神，上海市科学技术委员会公示了 2024 年第 4 批上海市高新技术成果转化项目名单，飞锃半导体以其卓越的创新实力和技术领先性，“半导体 SiC Mos 管（ACM 型）项目” 成功获得认定，标志着飞锃半导体在SiC功率半导体器件领域的技术实力和市场竞争力迈上了新的台阶。

飞锃半导体“半导体SiC Mos管（ACM型）”项目此次获得认定，是长期致力于SiC功率半导体器件研发、生产管理和销售的重要成果。飞锃半导体最新一代Gen3B碳化硅MOSFET系列，该系列产品覆盖市场主流规格需求，包含750V 11/25/40/55mΩ，以及1200V 15/20/30/40/80mΩ等。通过技术与工艺的双重革新，实现了一致性更好、开关损耗更优、导通特性更为出色的产品，更加适配高可靠性和高性能应用场景，特别是在充电桩、光伏储能系统以及电动汽车的关键部件如车载充电器(OBC)、DC/DC转换器、电空调压缩机和主驱系统，提供更贴切客户端使用的产品，已满足更加激烈的市场需求。

飞锃半导体车规级SiC MOSFET器件其中包括1200V 30 /70/160mΩ和750V 11/25/40/55mΩ规格，采用了TO247-4和TO263-7封装形式。在设计、制造和封装技术上均达到了国际先进水平，通过工艺优化降低了单位晶圆面积内的导通电阻，优化了开关性能，并采用开尔文Source封装技术，有效提升了器件的开关速度和抗干扰能力。这些技术突破使得飞锃半导体的SiC MOSFET器件在极端运行环境下仍能保持出色的耐受能力和使用寿命，为新能源汽车等高端应用提供了可靠保障。 

飞锃半导体首席执行官周永昌（Tony Chau）表示：“我们非常荣幸“半导体SiC Mos管（ACM型）”项目能够获得上海市科学技术委员会的认可。这不仅是对我们技术实力的肯定，也是对我们团队努力的回报。飞锃半导体将继续致力于技术创新，推动高性能碳化硅器件的应用与发展，为行业提供更多优质解决方案。”

此次获得上海市高新技术成果转化项目认定，不仅是对飞锃半导体技术创新能力的肯定，也是对其市场应用前景的看好。上海市科学技术委员会通过这一认定机制，旨在鼓励和支持企业提升自主创新能力，促进科技成果转化，培育创新发展新动能。飞锃半导体作为SiC功率半导体器件领域的佼佼者，其“半导体SiC Mos管（ACM型）”项目的成功认定，无疑将为其未来的发展注入强劲动力。

飞锃半导体将继续秉承创新驱动发展的理念，不断加大研发投入，推动技术创新和产业升级。同时，公司也将积极与国内外下游企业合作，共同推动国产新能源汽车转型及SiC的国产化替代进程，为推动我国半导体产业的快速发展贡献自己的力量。