2021年7月30日飞锃半导体受邀参加了2021全球第三代半导体快充产业峰会，本次峰会飞锃半导体携最新款碳化硅二极管闪亮登场，受到各方关注。
作为第三代半导体材料，碳化硅（SiC）与硅（Si）相比，介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高。因此，当用于半导体器件中时，碳化硅器件拥有高耐压、高速开关、低导通电阻、高效率等特性，有助于降低能耗和缩小系统尺寸。碳化硅可以广泛应用于电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能、风力发电、消费类电源等领域。近年来，随着USB PD快充技术的普及和氮化镓技术的成熟，大功率快充电源市场逐渐兴起，碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角，进入了多款百瓦级大功率快充供应链，助力快充电源实现更高的效率和更小的体积。目前SiC功率器件已经在国内多家品牌厂商中实现了规模化应用，优势也在行业中获得初步认可。SiC材料的功率器件在充电模块中的应用规模还在不断的持续扩大。飞锃半导体推出的碳化硅二极管参与了全球业界首款碳化硅+氮化镓快充产品的开发，使碳化硅正式在消费类电源领域实现商用。
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