慕尼黑华南电子展火热现场：第三代SiC MOSFET亮相！
2023年10月30日-11月1日，备受瞩目的2023慕尼黑华南电子展圆满落幕！飞锃半导体在本次展会上重点展示了第三代SiC MOSFET、SiC二极管、新能源汽车、充电桩和光伏储能等热门领域的产品应用方案。
在展会现场，飞锃半导体凭借丰富多样的产品种类、卓越的产品性能、领先的技术和研发能力，吸引了全国各地的客户驻足参观和咨询。工程师们与来自新能源汽车、充电桩、光伏储能、智能家具等领域的客户分享了产品应用方案和实际案列，并就可能的合作机会进行了更加深入的探讨。
多款产品 重磅亮相
1.最新一代(Gen3)碳化硅MOSFET
飞锃半导体推出的第三代碳化硅MOSFET，包含多种市场主流规格，如1200V 14/18/30/40/80mΩ、750V 11/15mΩ。在产品结构上，第三代碳化硅MOSFET与上一代相比经过了进一步的技术及工艺改进，产品具备了更好的参数一致性，更低的开关损耗、以及更出色的导通特性，以满足高可靠性和高性能的应用需求，广泛应用于充电桩、光伏&储能、车载OBC/DCDC/主驱等领域。
以下数据对比是基于飞锃半导体应用实验室双脉冲测试平台的实验数据，从下图可见，在不同栅极驱动电阻的情况下，第三代碳化硅MOSFET的反向恢复损耗以及总开关损耗都有很大的改善。
飞锃半导体第3代SiC MOSFET具有以下特点：
第三代 SiC MOSFET 技术
具有多种先进封装技术
低导通电阻
低开关损耗
具有低反向恢复 (Qrr) 的体二极管
2.车规级SiC MOSFET
目前，飞锃半导体已经量产了车规级碳化硅MOSFET产品，其中包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ规格，采用了TO247-4和TO263-7封装形式。这些产品具备高可靠性和高鲁棒性，同时还展现出卓越的开关性能和导通特性。此外，它们还具备出色的体二极管反向恢复特性，能够显著降低车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。所有产品均通过了车规AEC-Q101可靠性验证，并且通过了960V高压H3TRB加严测试。
3.工业级应用方案
同时，飞锃半导体还展示了一些基于光伏、储能和直流充电桩的碳化硅MOSFET和碳化硅二极管，覆盖了市面上的主流规格。这些产品不仅性能品质达到了国际大厂的水平，还搭配了行业先进的封装。
碳化硅二极管产品采用了飞锃半导体的专有Buffer JBS结构和衬底减薄，能够在低损耗的情况下提供强大的功率工作能力，参数分布更加合理和高效。同时，这些产品还具备出色的耐高温性、优异的高频性能、良好的功率处理能力和更低的损耗，能够帮助客户提高能量转换效率、降低系统成本。目前，这些产品已经开始向光伏、储能和直流充电桩领域的头部客户进行批量供货。
丰富展位活动，人气满满
在慕尼黑华南电子展的现场，飞锃半导体再次深切感受到观众们的热情。展台前参会者络绎不绝，飞锃半导体精心准备的幸运大转盘活动吸引了大批参会者前来参加。
飞锃半导体多年坚持对碳化硅器件研发与创新，致力于推动国产碳化硅产业的发展进程。我们坚信，在SIC MOSFET领域，国产产品有望实现替代进口，并为中国半导体产业的进步做出更大的贡献。