2024年6月13日至15日，万众瞩目的第十七届（2024）国际太阳能光伏与智慧能源（上海）大会暨展览会成功落下帷幕，为全球能源技术的未来描绘了激动人心的蓝图。在这场汇聚行业精英的盛会上，飞锃半导体以其前沿的科技魅力，成为全场焦点，精彩呈现了第三代1200V SiC MOSFET、750V SiC MOSFET、1200V高电流SiC二极管等尖端产品，以及针对新能源汽车、充电桩、光伏储能等多个热门领域的创新应用解决方案，引领行业迈向智慧能源新时代。

展会期间，飞锃半导体的展位人潮涌动，吸引了来自全国各地的客户和专业人士驻足交流。公司工程师与来宾们深度互动，不仅分享了详实的产品应用案例，还就光伏储能领域的技术趋势及潜在合作机遇进行了热烈讨论，展现了飞锃半导体在技术创新与市场洞察方面的深厚底蕴。

新一代产品 震撼发布

最新一代(Gen3)碳化硅MOSFET

飞锃半导体隆重推出了其最新一代Gen3B碳化硅MOSFET系列，该系列产品全面覆盖市场需求主流规格，包含750V 11/25/40/55mΩ，以及1200V 15/20/30/40mΩ。通过技术与工艺的双重革新，实现了一致性更好、开关损耗更优、导通特性更为出色的产品，更加适配高可靠性和高性能应用场景，特别是在充电桩、光伏储能系统以及电动汽车的关键部件如车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和主驱动系统中，提供更贴切客户端使用的产品，已满足更加激烈的市场需求。

飞锃半导体第3代SiC MOSFET具有以下特点：

l  高性能、高可靠性、低关断损耗

l  出色的开关性能和导通特性

l  优秀的体二极管反向恢复特性

l  750V MOSFET(比传统650V电压高100V)更适合车载OBC和储能应用

l  1700V MOSFET & 2200V MOSFET 适用于1500V光伏系统和重卡汽车

车规级SiC MOSFET：安全与效率并重的驱动力

目前，飞锃半导体已经推出了车规级碳化硅MOSFET产品，其中包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ规格，采用了TO247-4和TO263-7封装形式。这些产品具备高可靠性和高鲁棒性，同时还展现出卓越的开关性能和导通特性。此外，它们还具备出色的体二极管反向恢复特性，能够显著降低车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。以上产品均通过了车规AEC-Q101可靠性验证，并且通过了960V高压H3TRB加严测试。

赋能工业4.0：创新应用方案引领产业升级

此外，飞锃半导体还展示了面向光伏、储能、直流充电桩市场的工业级应用方案，这些方案搭载了国际领先水平的碳化硅MOSFET与二极管，采用先进封装技术，不仅在性能上与国际大厂并驾齐驱，更在能效提升、成本控制方面展现了独特优势。尤其是公司的碳化硅二极管，凭借独特的Buffer JBS结构和优化的衬底减薄技术，实现了低损耗下的高效功率输出，其出色的热稳定性、高频性能及功率处理能力，正在助力客户在竞争激烈的市场中脱颖而出。

互动不断，共襄盛会

展会现场，飞锃半导体的展位活动丰富多彩，人气爆棚，特别是精心策划的幸运大转盘环节，吸引了众多参展者的积极参与，营造了欢快热烈的氛围。

飞锃半导体，作为华大半导体集团碳化硅生态链中的功率半导体公司，始终是国产碳化硅器件研发与创新的坚定实践者，加速推进中国半导体产业的自立自强之路。我们有理由相信，在不久的将来，国产SIC MOSFET不仅能够实现对进口产品的有效替代，更将为中国乃至全球半导体行业的繁荣发展贡献力量，开启智慧能源应用的新纪元。