技术的进步推动了硅半导体达到其理论材料极限。 目前，基于硅的功率器件无法满足功率电子在各种工业/商业应用中对功率器件的不断增长的需求。 这些包括更高的阻断电压，开关频率，效率和可靠性。 碳化硅（SiC），也称为宽禁带材料，是替代硅的理想选择 

使用碳化硅（SiC）技术制造的功率器件可以受益于其优越的性能。 这些特性使碳化硅器件可以在高于200^oC的温度下运行，与基于硅的器件相比，碳化硅器件的功率密度是硅器件的2倍，但功率损耗仅为硅器件的50％。 使用碳化硅器件的电子系统需要较小的系统尺寸，较低的系统成本和在高温环境下有更高的可靠性。

碳化硅（SiC）在禁带宽度，击穿电场和导热性方面明显优于硅和砷化硅。